CPU FinFET工藝詳解：7nm是物理極限
現(xiàn)在看到手機發(fā)布會，很多廠商在介紹處理器的時候總會說自己自己使用的處理器是多多么領(lǐng)先，工藝多么多么精湛，并且還會引用“FinFet工藝制造”之類的名詞，那到底什么是FinFET工藝，到底有什么優(yōu)勢讓國際大廠趨之若鷲？
FinFET工藝
FinFET工藝的概念
FinFET稱為鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor)，是由美籍華人科學家胡正明教授提出的，其中的Fin在構(gòu)造上與魚鰭非常相似，所以稱為“鰭式”，而FET的全名是“場效電晶體” 。
FinFET是一種新的互補式金屬氧半導體(CMOS)晶體管，源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—“場效晶體管”的一項創(chuàng)新設(shè)計。
立體式Fin
傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)是平面的，所以只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開。但是在FinFET架構(gòu)中，閘門被設(shè)計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。這種叉狀3D架構(gòu)不僅能改善電路控制和減少漏電流，同時讓晶體管的閘長大幅度縮減。
對于IC設(shè)計廠商來說，成本、性能、需求多方面達到平衡的方案和技術(shù)節(jié)點是最重要的，企業(yè)不是慈善家，它也需要考慮盈利的問題，很多芯片在產(chǎn)品性能足夠的情況下，選擇最合適的制造工藝，可以提升市場競爭力，擴大市場占有率，這也就是為什么有的廠商進行“擠牙膏”的策略來生產(chǎn)CPU了，因為FinFET工藝7nm已經(jīng)是極限了。
臺積電在去年的IEDM上發(fā)布7nm技術(shù)節(jié)點的晶體管樣品，雖然說臺積電的7nm工藝在技術(shù)節(jié)點與英特爾的10nm非常相似，但臺積電已經(jīng)大有趕超英特爾之勢。
7nm制程的FinFET工藝最快要到明年才能面世，7nm也是FinFET工藝的極限，再往下的節(jié)點只能看EUV光刻機。
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